[发明专利]一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法

摘要

一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法，它涉及一种镁合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大，镁合金热控涂层吸收率高和镁合金基体与热控涂层高结合力低的问题。制备方法：首先对镁合金进行处理，然后采用脉冲微弧氧化电源进行微弧氧化，即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。本发明在镁合金表面制备的低太阳吸收率高发射率涂层厚度达到30μm～120μm，太阳吸收率为0.2～0.4，发射率为0.85～0.95，粗糙度为1μm～10μm。本发明可获得一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。

主权项

一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法，其特征在于一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法具体是按以下步骤完成的：一、镁合金前处理：依次使用240#水磨砂纸、1000#水磨砂纸和1500#砂纸打磨镁合金表面，再使用丙酮或去离子水清洗打磨后的镁合金表面，再使用电吹风吹干，得到处理后的镁合金；二、将处理后的镁合金置于不锈钢电解槽中，处理后的镁合金与电源的正极相连接，作为阳极；不锈钢电解槽与电源的负极相连接，作为阴极；三、采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为1A·dm‑2～20A·dm‑2，正向电压为200V～700V，电源频率10Hz～3000Hz，占空比10％～50％，电解液的温度为20℃～50℃和电解液的pH值为8.5～13.0的条件下进行微弧氧化反应5min～60min，即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法；步骤三中所述的电解液由主成膜剂、辅助成膜剂和添加剂组成，溶剂为水；所述的电解液中主成膜剂的浓度为0.2g/L～20g/L，辅助成膜剂的浓度为0.1g/L～15g/L，添加剂的浓度为0.3g/L～5g/L。