[发明专利]OLED显示器件及其制造方法在审

申请号：	201410811215.1	申请日：	2014-12-22
公开（公告）号：	CN104538423A	公开（公告）日：	2015-04-22
发明（设计）人：	李文辉;王宜凡	申请（专利权）人：	深圳市华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L27/32	分类号：	H01L27/32;H01L21/77
代理公司：	深圳市德力知识产权代理事务所 44265	代理人：	林才桂
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供一种OLED显示器件及其制造方法。该OLED显示器件包括：基板(100)；设于基板(100)上的多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极(200)；设于基板(100)上且位于每相邻两个第一电极(200)之间的像素阻隔层(300)；每一像素阻隔层(300)的中部具有一凹槽(310)，该凹槽(310)贯穿所述像素阻隔层(300)；设于所述第一电极(200)与像素阻隔层(300)上的OLED有机材料层(400)；所述OLED有机材料层(400)在所述凹槽(310)处断开；及设于所述OLED有机材料层(400)上的第二电极(500)；所述第二电极(500)同样在所述凹槽(310)处断开。该OLED显示器件能够抑制因泄露电流而产生的泄露发射光，减少短路缺陷，提高OLED显示器件的可靠性，改善OLED显示器件的显示质量。
搜索关键词：	oled 显示器件及其制造方法
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【主权项】：

一种OLED显示器件，其特征在于，包括：基板(100)；设于所述基板(100)上的多个相互间隔且呈阵列式排布的第一电极(200)；设于所述基板(100)上且位于每相邻两个第一电极(200)之间的像素阻隔层(300)；所述像素阻隔层(300)高出所述第一电极(200)，并覆盖所述第一电极(200)的部分上表面；每一像素阻隔层(300)的中部具有一凹槽(310)，该凹槽(310)贯穿所述像素阻隔层(300)；每相邻两个像素阻隔层(300)限定出的区域为一个像素区域；设于所述第一电极(200)与像素阻隔层(300)上的OLED有机材料层(400)；所述OLED有机材料层(400)在所述凹槽(310)处断开；及设于所述OLED有机材料层(400)上的第二电极(500)；所述第二电极(500)同样在所述凹槽(310)处断开。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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