[发明专利]自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法

摘要

本发明公开了一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，该方法的步骤如下：（a）硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；（b）再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂磷源；（c）再将经过步骤（b）处理后的硅基体放置在温度环境中沉积，使三氧化二铝层内部产生气泡，从而使磷源扩散形成自对准选择性发射结；（d）洗去三氧化二铝层，再放入温度环境中，使自对准选择性发射结推进；（e）对硅基体的背面清洗；（f）再在对准选择性发射结的上表面沉积减反射膜；（g）正、背面分别进行金属化；（h）烧结并测试后，得到成品。本发明能够减少选择性扩散电池的高温过程及精准的对准过程以及特殊刻蚀浆料的准备，大大减低了生产成本，更适合工业化大规模生产。

主权项

一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于该方法的步骤如下：(a)硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；(b)再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂磷源；(c)再将经过步骤(b)处理后的硅基体放置在温度环境中沉积，使三氧化二铝层内部产生气泡，从而使磷源扩散形成自对准选择性发射结，该自对准选择性发射结在三氧化二铝层的起泡区域形成重扩散区，非起泡区形成轻扩散区；(d)洗去三氧化二铝层，再放入温度环境中，使自对准选择性发射结推进，达到所需的结深和表面浓度；(e)对硅基体的背面清洗；(f)再在对准选择性发射结的上表面沉积减反射膜；(g)正、背面分别进行金属化；(h)烧结并测试后，得到成品。