[发明专利]一种改善多晶硅酸制绒后硅片表面晶格发亮的方法在审
| 申请号： | 201410779551.2 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762223A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李祥 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314205 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善多晶硅酸制绒后硅片表面晶格发亮的方法，即首先在多晶硅制绒工艺的碱槽中加入适量BDG（二乙二醇单丁醚），减缓硅片与碱溶液反应，所述的适量BDG的体积浓度为1±0.5%；然后将硅片依次经过自动上料、制绒槽、漂洗槽、碱洗槽、漂洗槽、酸洗槽、漂洗槽、风干工序。本发明的有益效果是有效改善硅片表面晶格发亮的异常现象，降低外观异常比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 多晶 硅酸 制绒后 硅片 表面 晶格 发亮 方法 | ||
【主权项】：
一种改善多晶硅酸制绒后硅片表面晶格发亮的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在多晶硅制绒工艺的碱槽中加入适量BDG（二乙二醇单丁醚）；（2）将硅片依次经过自动上料、制绒槽、漂洗槽、碱洗槽、漂洗槽、酸洗槽、漂洗槽、风干工序。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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