[发明专利]具有多个位错平面的MOSFET在审
| 申请号： | 201410770305.0 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105374873A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吕伟元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，该方法包括形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该方法包括实施注入以形成邻近MOSFET的栅电极的预非晶化注入(PAI)区，在PAI区上方形成应变覆盖层，以及对应变覆盖层和PAI区实施退火以形成位错平面。由于退火形成位错平面，其中位错平面的倾斜角小于约65度。本发明还涉及具有多个位错平面的MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 个位 平面 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：形成金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，包括：实施第一注入以形成邻近所述MOSFET的栅电极的第一预非晶化注入PAI区；在所述第一PAI区上方形成第一应变覆盖层；以及对所述第一应变覆盖层和所述第一PAI区实施第一退火以形成第一位错平面，其中，由于所述第一退火形成所述第一位错平面，所述第一位错平面的倾斜角小于65度；邻近所述MOSFET蚀刻浅沟槽隔离STI区以形成邻接所述MOSFET的凹槽，其中，所述STI区具有位于凹槽下面的凹进的顶面，并且所述第一位错平面的夹止线高于所述STI区的凹进的顶面。
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