[发明专利]一种叠层太阳能电池的制备方法及其结构

摘要

本发明公开了一种叠层太阳能电池的制备方法及其结构，采用P型单晶硅片制备太阳能电池；在衬底上制备背电极和牺牲层；在牺牲层上制备CIGS薄膜太阳能电池，然后分别在单晶硅电池的P型硅层和CIGS薄膜太阳能电池的窗口层上分别沉积金属键合层；将制备好的单晶硅电池上的金属键合层与CIGS太阳能电池表面的金属键合层进行金属键合；将键合后的单晶硅/CIGS叠层电池在常温下进行衬底的剥离；在单晶硅电池和CIGS电池上分别沉积电极，即得单晶硅/CIGS叠层太阳能电池。本发明采用剥离技术制备单晶硅/铜铟镓硒(CIGS)叠层太阳电池，首先分开制备单晶硅电池和CIGS薄膜太阳能电池，然后利用金属键合工艺制得叠层电池，其光电转换效率将比单晶硅电池提高5％‑20％。

主权项

一种叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤一、采用P型单晶硅片制备太阳能电池；步骤二、在衬底上制备背电极层；步骤三、在背电极层上制备牺牲层，所述牺牲层为NaF层；步骤四、在牺牲层上制备CIGS薄膜太阳能电池；步骤五、采用热蒸发或溅射的方法，分别在单晶硅电池的P型硅层和CIGS薄膜太阳能电池的窗口层上沉积金属键合层；步骤六、将制备好的单晶硅电池上的金属键合层与CIGS薄膜太阳能电池上的金属键合层进行金属键合；步骤七、将键合后的单晶硅/CI GS叠层电池在常温下进行所述衬底和背电极层的剥离；步骤八、在单晶硅电池的N+硅层上沉积金属电极；步骤九、在CIGS薄膜太阳能电池表面制备栅线电极；步骤十、采用蒸发法在叠层电池的上表面制备抗反射层，即得单晶硅/CI GS叠层太阳能电池。