[发明专利]一种改善钕铁硼磁体性能的固体扩散工艺在审
| 申请号： | 201410740028.9 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104505247A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘仲武;周庆;钟喜春;郑志刚 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于钕铁硼磁体制备技术领域，公开了一种改善钕铁硼磁体磁性能和抗腐蚀性能的固体扩散工艺。所述改善钕铁硼磁体性能的固体扩散工艺，包括如下步骤：(1)以钕铁硼磁体为基体，利用物理气相沉积技术在基体表面进行溅射沉积一层金属氧化物薄膜；(2)将沉积后的钕铁硼磁体在惰性气体中进行热处理，得到改善后的钕铁硼磁体。本发明所述固体扩散工艺过程简便有效，明显降低钕铁硼磁体中重稀土的含量，所得钕铁硼磁体与传统制备的烧结钕铁硼或粘结钕铁硼相比提高了矫顽力；且有效改善了钕铁硼磁体晶界相的成分和结构，提高所得钕铁硼磁体的耐腐蚀性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 钕铁硼 磁体 性能 固体 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种改善钕铁硼磁体性能的固体扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)以钕铁硼磁体为基体，利用物理气相沉积技术在基体表面进行溅射沉积一层金属氧化物薄膜；(2)将沉积后的钕铁硼磁体在惰性气体中进行热处理，得到改善后的钕铁硼磁体。
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