[发明专利]基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片有效
| 申请号： | 201410709708.4 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104377544B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 余力强;吉晨;赵玲娟;陆丹;王浩;郭露 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 放大 反馈 实现 带宽 扩展 单片 集成 激光器 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，所述的无源相位调节区用于调节反馈光的相位，无源相位调节区对应的有源层的材料是体材料，或是量子阱材料；无源相位调节区的长度为200至400μm；该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。
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