[发明专利]基于炭黑吸收层的热释电红外探测器及其制造方法在审
申请号: | 201410701537.0 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104409554A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 刘子骥;梁志清;王涛;黎威志;郑兴;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;G01J5/02 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种基于炭黑吸收层的热释电红外探测器及其制造方法,包括:制备热释电晶体衬底;在热释电晶体衬底的一侧上沉积镍铬合金层形成上电极;在上电极上形成炭黑红外吸收层;在热释电晶体衬底的与上电极相反的侧上沉积镍铬合金层形成下电极;将下电极金属键合到高热阻抗基底上;将炭黑红外吸收层的表面加工成纳米形貌结构,形成红外敏感吸收层。本发明的实施例中,镍铬合金层和炭黑红外吸收层的多层薄膜结构作为该热释电红外探测器的热敏感层,具有更好的表面致密性、高的吸收系数和较小的热损失,能够获取高性能热响应。 | ||
搜索关键词: | 基于 炭黑 吸收 热释电 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造基于炭黑吸收层的热释电红外探测器的方法,其特征在于,包括:制备热释电晶体衬底;在所述热释电晶体衬底的一侧上沉积镍铬合金层,形成上电极;在所述上电极上沉积炭黑红外吸收层;在所述热释电晶体衬底的与所述上电极相反的侧上沉积镍铬合金层,形成下电极;将所述下电极金属键合到高热阻抗基底上;将所述炭黑红外吸收层的表面的至少一部分加工成纳米形貌结构,形成红外敏感吸收层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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