[发明专利]一种热释电红外探测器敏感单元及其制造方法有效
申请号: | 201410701417.0 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104465851A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 刘子骥;梁志清;王涛;黎威志;于贺;王军 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了一种制造热释电红外探测器敏感单元的方法,包括:制备钽酸锂晶片衬底;在钽酸锂晶片衬底的第一表面上形成铬金属薄膜;在铬金属薄膜上形成镍金属薄膜;在镍金属薄膜上形成第一铬镍合金层并刻蚀形成上电极;在钽酸锂晶片衬底的第二表面上形成第二铬镍合金层并刻蚀形成下电极。根据本发明的实施例的方法制造的热释电红外探测器敏感单元的吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽、光谱平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良的优点。同时吸收层可兼做电极,适合作为热释电红外探测器的吸收层。 | ||
搜索关键词: | 一种 热释电 红外探测器 敏感 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造热释电红外探测器敏感单元的方法,其特征在于,包括:制备钽酸锂晶片衬底,所述钽酸锂晶片衬底包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面,并在所述第一表面上形成第一图形;在所述第一表面上形成铬金属薄膜;在所述铬金属薄膜上形成镍金属薄膜,并在所述镍金属薄膜上形成第二图形;在所述镍金属薄膜上形成第一铬镍合金层,并在所述第一铬镍合金层上形成第三图形;在所述第一铬镍合金层上刻蚀形成上电极;在所述第二表面上形成第二铬镍合金层,并在所述第二铬镍合金层上形成第四图形;在所述第二铬镍合金层上刻蚀形成下电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410701417.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的