[发明专利]用于具有共同封装的氮化镓功率器件的交叉升压变换器的方法和系统在审
| 申请号： | 201410657698.4 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104659025A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 埃马尔·N·沙赫;唐纳德·R·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 阿沃吉有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于具有共同封装的氮化镓功率器件的交叉升压变换器的方法和系统。一种电子封装件包括引线框和多个管脚。电子封装件还包括：第一氮化镓(GaN)晶体管，第一GaN晶体管包括源极、栅极和漏极；和第二GaN晶体管，第二GaN晶体管包括源极、栅极和漏极。第一GaN晶体管的源极电连接到引线框，并且第二GaN晶体管的漏极电连接到引线框。电子封装件还包括：第一GaN二极管，第一GaN二极管包括阳极和阴极；和第二GaN二极管，第二GaN二极管包括阳极和阴极。第一GaN二极管的阳极电连接到引线框，并且第二GaN二极管的阳极电连接到引线框。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 共同 封装 氮化 功率 器件 交叉 升压 变换器 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种电子封装件，包括：引线框；多个管脚；第一氮化镓(GaN)晶体管，所述第一GaN晶体管包括源极、栅极和漏极，其中所述第一GaN晶体管的所述源极电连接到所述引线框；第二GaN晶体管，所述第二GaN晶体管包括源极、栅极和漏极，其中所述第二GaN晶体管的所述漏极电连接到所述引线框；第一GaN二极管，所述第一GaN二极管包括阳极和阴极，其中所述第一GaN二极管的所述阳极电连接到所述引线框；以及第二GaN二极管，所述第二GaN二极管包括阳极和阴极，其中所述第二GaN二极管的所述阳极电连接到所述引线框。
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