[发明专利]光掩模及其制造方法、图案转印方法、显示装置的制造方法有效
申请号: | 201410654984.5 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104656366B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 吉田光一郎 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模及其制造方法、图案转印方法、显示装置的制造方法。所述光掩模具有用于在被转印体上形成线宽Wp的器件图案的转印用图案,器件图案的线宽Wp与构成转印用图案的第1空白图案的线宽Wm之间的关系满足下述式(1)和式(2):Wp<10μm…(1)1≦(Wm-Wp)/2≦4(μm)…(2)。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 及其 制造 方法 图案 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种接近曝光用的光掩模,所述光掩模具有用于在被转印体上形成线宽Wp的器件图案的转印用图案,该光掩模具有一边为300mm以上的主表面,所述光掩模的特征在于,所述转印用图案具有:遮光区域,其通过在透明基板上至少形成有遮光膜而成;和线宽Wm的第1空白图案,其是与所述遮光区域邻接且按照由所述遮光区域从两侧夹持的方式配置的第1空白图案,与所述器件图案对应,而且,所述第1空白图案由在所述透明基板上形成半透光膜而成的半透光部构成,所述器件图案的线宽Wp与所述第1空白图案的线宽Wm之间的关系满足下述式1和式2:Wp<10μm…式11.0≦(Wm-Wp)/2≦3.0(μm)…式2。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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