[发明专利]一种基于一阶广义忆阻器的文氏桥混沌振荡器

摘要

本发明公开了一种基于一阶广义忆阻器的文氏桥混沌振荡器，包括电容C₁、电容C₂、电容C₃、电感L、电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电阻R₄、运算放大器U₁、二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M；其中二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M包括二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃、二极管D₄、电阻R₀、电容C₀。本发明的基于一阶广义忆阻器的文氏桥混沌振荡器结构简单，可以通过调节电路元件参数值来表现出不同的混沌特性，得到具有复杂动力学特性的混沌行为。本发明的忆阻等效电路没有接地限制，即等效输入端不需要接地处理，能够串联进已有的振荡电路中。本发明的忆阻混沌电路的动力学特性不依赖于忆阻的初始状态，有效避免了出现复杂的非线性物理现象。

主权项

一种基于一阶广义忆阻器的文氏桥混沌振荡器，其特征在于：包括电容C₁、电容C₂、电容C₃、电感L、电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电阻R₄、运算放大器U₁、二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M；其中电阻R₁正、负极端分别与电容C₁的正、负极端相连，分别记做a、b端；电阻R₄的正、负极端分别与运算放大器U₁的负极端、输出端相连，分别记做c、d端；运算放大器U₁的正极端与a端相连；电阻R₃的正、负极端分别与b、c端相连；二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M的正、负极端分别与电容C₂的正极端、电容C₃的正极端相连，分别记做e、f；电容C₂的正、负极端分别与e端、电阻R₂的正极端相连；电阻R₂的负极端与d端相连；电感L的正极端与f端相连，电感L的负极端与电容C₃的负极端相连，记做g端；其中b端、g端接地。