[发明专利]用于清洁和钝化硫属化物层的方法在审
| 申请号： | 201410616638.8 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104637783A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | M·巴菲尔;M·缪里斯;G·布莱墨茨 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;鲁汶天主教大学;哈瑟尔特大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于化学清洁和钝化硫属化物层的方法，其中所述方法包括使硫属化物层和含硫化铵的环境例如硫化铵液体溶液或含硫化铵的蒸汽接触。提供了一种用于制造具有硫属化物吸收剂层的光伏电池的方法，所述方法包括：在基片上提供硫属化物半导体层；使硫属化物半导体层和含硫化铵的环境接触，由此除去杂质和钝化硫属化物半导体层；和随后在硫属化物半导体层上提供缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洁 钝化 硫属化物层 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化学清洁和钝化硫属化物层的方法，其特征在于，所述方法包括使硫属化物层和含硫化铵的环境接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
