[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410604150.3 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105552124B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张璇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，其中鳍式场效应管的形成方法包括：提供锗化硅基底以及位于锗化硅基底表面的硅基底，且所述锗化硅基底和硅基底包括依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；刻蚀第二区域的硅基底以形成若干分立的鳍部，且鳍部之间的排列方向与第一区域、第二区域和第三区域的排列方向相互垂直；刻蚀鳍部两侧的部分厚度的锗化硅基底，在锗化硅基底内形成凹槽；形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁，且栅极结构填充满所述凹槽；对第一区域和第三区域的硅基底进行掺杂，形成掺杂区。本发明在提高沟道区载流子迁移率的同时，使得掺杂区表面具有良好形貌，提高鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供锗化硅基底以及位于锗化硅基底表面的硅基底，且所述锗化硅基底和硅基底包括依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；刻蚀所述第二区域的硅基底以形成若干分立的鳍部，且所述鳍部之间的排列方向与第一区域、第二区域和第三区域的排列方向相互垂直；刻蚀所述鳍部两侧的部分厚度的锗化硅基底，在所述锗化硅基底内形成凹槽；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁，且所述栅极结构填充满所述凹槽；对所述第一区域和第三区域的硅基底进行掺杂，形成掺杂区。
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