[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201410600804.5 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104319322B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杜伟华;周启伦;伍明跃;李志明;寻飞林;郑锦坚;李水清 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，至少包括N型层、发光层和P型层，所述发光层为垒层、第一过渡层、阱层、第二过渡层的多量子阱周期结构，其中垒层、第一过渡层和第二过渡层中至少插入两个非均匀厚度的AlN薄层。本发明采用AlN薄层与垒层、第一过渡层、第二过渡层形成的交叠结构，可以有效调制量子阱区的极化场，减少阱垒层之间的极化电荷，减弱能带倾斜，提高载流子在量子阱区的辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，至少包括N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述发光层为垒层、第一过渡层、阱层和第二过渡层组成的多量子阱周期结构，其中垒层、第一过渡层和第二过渡层中至少有两层各至少插入一个AlN薄层。
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