[发明专利]有机相中合成CdTe纳米棒的方法无效

专利信息
申请号: 201410596992.9 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN104386656A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 金小平;方烨汶;陆智炎 申请(专利权)人: 浙江医药高等专科学校
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 代理人: 代忠炯
地址: 315100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种有机相中合成CdTe纳米棒的方法,包括以下步骤:1)将Te置于单颈圆底烧瓶中,加入三辛基膦,在氮气的保护下,制得Te-TOP溶液;将Te-TOP溶液与油胺混合制得前驱体溶液;2)在三颈圆底烧瓶中加入体积比为1︰5-100的油酸和油胺,再加入CdO;在氮气的保护下,加热到280℃-310℃,注射入前驱体溶液,降温到230℃-260℃之间即可;本发明的方法能够在有机相中高效合成纳米棒长度在50-200nm之间、高晶度的CdTe纳米棒,适合推广。
搜索关键词: 有机 相中 合成 cdte 纳米 方法
【主权项】:
 一种有机相中合成CdTe纳米棒的方法,其特征在于:包括以下步骤:1)前驱体溶液的配制:将Te置于单颈圆底烧瓶中,加入三辛基膦,在N2保护下加热到240℃‑300℃连续反应8‑10小时,待溶液中的Te固体完全消失,制得Te‑TOP溶液;在氮气的保护下,将Te‑TOP溶液与油胺混合制得前驱体溶液;2)在三颈圆底烧瓶中加入体积比为1︰5‑100的油酸和油胺,再加入CdO;在氮气的保护下,加热到280℃‑310℃,溶液变澄清,在280℃‑310℃时,注射入步骤1)中制备的前驱体溶液,溶液立刻变成棕色,降温到230℃‑260℃之间,让半导体晶体长大,20s‑15min后即可得到长度范围在50nm‑200nm之间的CdTe纳米棒。
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