[发明专利]一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法

摘要

本发明公开了一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是首先将含硅12～40％wt、含硼0～5ppmw的铝‑硅‑硼混合原料熔融，然后将n型硅片水平放置于熔体表面，在硅片与熔体接触面外延生长p型掺杂硅晶体层，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。本发明可在n型单晶硅片表面外延生长形成连续均匀的p型晶体硅层，其厚度可在0.5～20μm范围调节；其电阻率可在0.5～10Ω·cm范围调节。

主权项

一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法，其特征是按如下步骤：首先将含硅 12～40％wt 、含硼0～5 ppmw的铝‑硅‑硼混合原料在660～1025℃熔融，保温3小时，然后将熔体温度降低至580～945℃保温1小时，然后将n型硅片置入熔体中，并按每分钟0.3℃的速率降低熔体温度，待熔体温度降至570～935℃时取出硅片，生长完毕后取出硅片，最后清洗除去硅片表面粘附铝层。