[发明专利]磁阻元件、磁传感器装置以及磁阻元件的制造方法在审
| 申请号： | 201410578628.X | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104576920A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 八幡亮一 | 申请（专利权）人： | 日本电产三协株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻元件、具有该磁阻元件的磁传感器装置以及该磁阻元件的制造方法，所述磁阻元件即使在通过阻挡层防止磁阻膜表面发生氧化的情况下，由磁阻效应引起的电阻变化率也较高。在所述磁阻元件(4)中，在形成有磁阻膜(41-44)的基板(40)形成由钛、铝等构成的温度监测用电阻膜(47)以及加热用电阻膜(48)。并且，在相对于磁阻膜(41-44)在与基板(40)相反的一侧的面层叠由钛、铝等构成的阻挡层(71-74)，阻挡层(71-74)的膜厚比磁阻膜(41-44)的膜厚要薄。所述结构的磁阻元件(4)在形成磁阻膜之后，使磁阻膜与氧化性气氛不接触地在磁阻膜的表面层叠阻挡层，之后，对磁阻膜以及阻挡层进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 传感器 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻元件，其特征在于，所述磁阻元件具有：基板；磁阻膜，其形成在所述基板的一面侧；以及阻挡层，其以与所述磁阻膜相同的图案层叠于所述磁阻膜的与所述基板侧相反的一侧的面，且所述阻挡层由膜厚比所述磁阻膜的膜厚要薄的非磁性金属膜构成。
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