[发明专利]半导体器件结构及制造方法在审
| 申请号： | 201410566501.6 | 申请日： | 2014-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104916617A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李立国;刘永盛;刘宜臻;赖怡仁;陈俊仁;郑锡圭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；介电层，位于所述半导体衬底上方；导电迹线，位于所述介电层上方；导电部件，位于所述导电迹线上方，其中，所述导电部件的宽度基本上等于或大于所述导电迹线的最大宽度；以及导电凸块，位于所述导电部件上方。
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