[发明专利]一种高横向效应织构化压电聚合物薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410553618.0 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105576117A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郭栋;王云丽;陈小随;张翠红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H01L41/193 | 分类号： | H01L41/193;H01L41/45 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨;王敬波 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高横向效应织构化压电聚合物薄膜及其制备方法。本发明基于对溶液法制备的薄膜的非等温结晶过程控制，实现其分子偶极矩的择优取向，从而制备出分子偶极沿薄膜平面择优排列的织构化结构压电聚合物薄膜。该压电聚合物薄膜具有横向压电效应大于未经织构化处理相应同组分薄膜的横向压电效应的特点，可用于制备高横向压电效应的传感器，并在柔性纳米发电系统、新型能量收集系统等领域有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 效应 织构化 压电 聚合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高横向效应织构化压电聚合物薄膜，其特征在于，所述的压电聚合物薄膜由聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯共聚物制成，其中所述的聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯共聚物中偏二氟乙烯的摩尔含量为50％～82％。
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