[发明专利]具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器在审
| 申请号： | 201410547327.0 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104576917A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | M·艾克金格;S·科尔布;A·德厄;G·鲁尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器和用于制造所述霍尔效应传感器的方法，在选择用于在BiCMOS工艺中集成的情况下，该传感器实现为各种几何结构，包括所谓的“全3-d”霍尔传感器的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 探测 霍尔 效应 传感器 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：衬底，具有第一面；籽晶层，形成在所述第一面上；以及石墨烯层，形成在所述籽晶层的至少部分上方；其中位于所述衬底和所述石墨烯层之间的所述籽晶层的至少部分被移除，以从所述石墨烯层形成悬置的石墨烯结构。
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