[发明专利]互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法有效
| 申请号： | 201410542517.3 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105575886B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种互连介质层的制作方法、互连介质层和互连层的制作方法。其中，互连介质层的制作方法包括以下步骤：形成阻挡层，阻挡层为含硅碳化物；在阻挡层上形成SiC层；对SiC层进行氧化处理，以在SiC层中远离阻挡层的一侧形成SiO2层；在SiO2层上形成低介电材料层。上述制作方法中，由于SiC层和阻挡层的晶格相匹配，以及SiO2层和低介电材料层的晶格相匹配，从而减小了阻挡层和低介电材料层之间由晶格失配引起的应力，从而提高了阻挡层和低介电材料层之间的结合强度，进而提高了互连介质层的隔离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 介质 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连介质层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：形成阻挡层，所述阻挡层为含硅碳化物；在所述阻挡层上形成SiC层；对所述SiC层进行氧化处理，以在所述SiC层中远离所述阻挡层的一侧形成SiO2层；在所述SiO2层上形成低介电材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
