[发明专利]一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法

摘要

本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。

主权项

一种二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应0.3～3h；步骤2：除去未反应的正丁基锂，得到锂插层二硫化钼粉末，加入预先除氧的超纯水，在超声条件下反应0.5～2h，剥离得到二硫化钼纳米片的粗产物；步骤3：量取一定量乙醇，加入反应所得二硫化钼纳米片配制成悬浮液，在10000～26000rpm转速条件下离心5～20min，弃去上层清液，收集离心管底部产物；重复以上步骤，对二硫化钼纳米片重新洗涤一次，保留离心管底部的产物；步骤4：量取一定量的超纯水，与所得二硫化钼纳米片配成悬浮液，在2000～8000rpm转速条件下离心10～40min，弃去沉淀，将上层产物在10000～26000rpm的条件下离心10～100min，弃去上层清液，保留底部的分离产物，将产物分散到一定量超纯水中，重复以上离心纯化步骤，得到最终产物。