[发明专利]包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块

摘要

本发明涉及包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块，其包含：功率放大器，其包含GaAs双极晶体管，所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极，所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×10¹⁶cm^-3的掺杂浓度，所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级；及RF发射线，其由所述功率放大器驱动，所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层，所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层，所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。

主权项

一种功率放大器模块，其包括：功率放大器，其包含砷化镓GaAs双极晶体管，所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极，所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×10¹⁶cm^‑3的掺杂浓度，所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级；及RF发射线，其由所述功率放大器驱动，所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层，所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层，所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。