[发明专利]温漂自补偿SOI压力传感器的制备及补偿方法

摘要

本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器的制备方法及补偿方法，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。

主权项

一种温漂自补偿SOI压力传感器的制备方法，包括以下步骤：（1）、在衬底（1）的上表面淀积绝缘介质层（2），作为SOI结构的绝缘隔离介质层；（2）、在绝缘介质层（2）上淀积导电材料，以形成SOI衬底；（3）、对导电材料采用不同的离子注入浓度进行掺杂，经退火、刻蚀工艺后，分别形成桥路电阻（3）、恒压供电补偿电阻（4）、恒流供电补偿电阻（5）；（4）、淀积绝缘隔离层(6)，覆盖桥路电阻（3）、恒压供电补偿电阻（4）、恒流供电补偿电阻（5）；（5）、在桥路电阻（3）、恒压供电补偿电阻（4）、恒流供电补偿电阻（5）对应的端部进行光刻形成引线孔；（6）、进行离子注入，形成欧姆接触浓硼区；（7）、在引线孔内淀积互连引线（7）；（8）、反刻引线和压焊块，合金化处理；（9）、淀积钝化层（8）；（10）、对钝化层（8）进行刻蚀，露出压焊区域；（11）、对SOI衬底进行背面深刻蚀，形成压力腔（9），压力腔（9）上保留一定厚度的衬底材料，已形成压力敏感膜（10）；（12）、划片、封装、测试，完成压力传感器的制备。