[发明专利]钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及其金属氧化物薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410488921.7 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104218096B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪;王磊;林振国 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供一种钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及金属氧化物薄膜晶体管，以钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜作为有源层。钙钛矿结构的无机金属氧化物的化学表达式为MxA1‑xBO3，其中0.001≤x≤0.5，A是Ca、Sr或Ba中的至少一种，B是Ti或Sn中的一种，M是Sc、Y、稀土元素、Al或In中的至少一种，其由多个具有钙钛矿结构的晶粒构成，晶粒大小为2～900nm。钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜的厚度为10 nm～500 nm。钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜作为有源层具有电子迁移率高、所制备的金属氧化物薄膜晶体管的光稳定性好、亚阈值摆幅较低，且制备工艺简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 结构 无机 金属 氧化物 半导体 薄膜 及其 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：有源层为钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜；所述钙钛矿结构的无机金属氧化物的化学表达式为MxA1‑xBO3，其中0.001≤x≤0.5，A是Ca、Sr或Ba中的至少一种，B是Ti或Sn中的一种，M是稀土元素、Al或In中的至少一种；所述钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜具有纳米晶的钙钛矿结构，晶粒大小介于2～900nm之间；
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