[发明专利]一种叉指型背接触电池的制作方法

摘要

本发明涉及一种叉指型背接触电池的制作方法，利用丝网印刷对预处理后的硅片制绒面印刷掺磷浆料、烘干形成n⁺掺杂层、印刷掺磷浆料、烘干后热处理形成p⁺掺杂层、去除掺杂浆料热处理后在硅片表面形成的SiO₂层、在O₂环境中热处理形成SiO₂钝化层、沉积SiN_x钝化层、用激光处理硅片抛光面p⁺和n⁺掺杂区域、丝网印刷金属浆料形成接触电极、烧结形成良好的电极接触，即制备得到叉指型背接触电池。与现有技术相比，本发明能够实现电池背表面磷和硼叉指型掺杂区域的精确成形。

主权项

一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：1)利用化学刻蚀对N型单晶硅片进行单面制绒、单面抛光预处理；2)用丝网印刷在预处理后的硅片制绒面印刷磷掺杂浆料，然后在空气氛围中120～160℃烘干8～12min；3)用丝网印刷在硅片抛光面需要进行磷掺杂的区域再次印刷磷含量80wt％～100wt％的掺磷浆料，然后在空气氛围中120～160℃烘干8～12min；4)烘干后的硅片在N₂环境中于800～1000℃热处理20～40min，使制绒面和抛光面印刷区域形成n⁺掺杂层；5)在硅片抛光面需要进行硼掺杂的区域印刷硼掺杂浆料，然后在空气氛围中120～160℃烘干8～12min；6)烘干后的硅片在N₂环境中800～1000℃下热处理20～40min，形成p⁺掺杂层；7)将硅片放入8wt％～10wt％的HF溶液中室温下反应8～10s，去除掺杂浆料热处理后在硅片表面形成的SiO₂层，再用去离子水洗净烘干；8)烘干后的硅片在O₂环境中1000～1200℃下氧化20～40min，使硅片双面形成SiO₂钝化层；9)用PECVD方法在氧化后的硅片两面沉积SiN_x钝化层；10)用激光处理硅片抛光面p⁺和n⁺掺杂区域，打开SiO₂/SiNx钝化层使p⁺和n⁺掺杂层和电极具有良好的接触性；11)激光处理后的硅片经丝网印刷金属浆料形成接触电极；12)印刷后的硅片进行烧结形成良好的电极接触，即制备得到叉指型背接触电池。