[发明专利]硅埋入式数位线存取装置及其形成方法

摘要

本发明公开了一种硅埋入式数位线存取装置及其形成方法，该存取装置包括沿着第一方向延伸的第一数位线沟渠、位于第一数位线沟渠之间的埋入式数位线、分隔第一数位线沟渠的第二沟渠和第三沟渠、位于第二沟渠中而填入数位线沟渠又有空气间隙的填充材料、沿着第二方向延伸的多个字元线沟渠、位于字元线沟渠的壁上的金属字元线以及填入字元线沟渠中的填充材料。

主权项

一种硅埋入式数位线存取装置，其特征在于，包括：一基材；多个第一沟渠，位于沿着一第一方向延伸的所述基材中；一第一氧化物衬垫层，仅位于所述多个第一沟渠的壁上；一掺杂区域，位于沿着所述多个第一沟渠的所述基材中，其中所述掺杂区域是一埋入式数位线；多个第二沟渠，各形成于各所述第一沟渠中，其中所述多个第二沟渠是底切结构；多个第三沟渠，各形成于各所述第二沟渠中，其中所述多个第三沟渠的深度大于所述掺杂区域的深度，所述多个第二沟渠的宽度大于所述多个第三沟渠的宽度；一第二氧化物衬垫层，共形的位于所述多个第一沟渠、所述多个第二沟渠和所述多个第三沟渠的壁上，其中所述第一氧化物衬垫层介于所述第二氧化物衬垫层以及所述多个第一沟渠的壁之间；一第二填充材料，填入所述多个第一沟渠、所述多个第二沟渠与所述多个第三沟渠中，并且在所述多个第二沟渠中形成空气间隙；多个沿着一第二方向延伸的字元线沟渠，位于所述基材中，其中所述多个字元线沟渠的深度小于所述埋入式数位线的深度；一氧化物衬垫层，位于所述多个字元线沟渠的壁上；一金属层，位于所述多个字元线沟渠部分的壁上，其中所述金属层是一字元线；及一第一填充材料，填入所述多个字元线沟渠中。