[发明专利]钼硅靶材及其组合的制造方法

摘要

一种钼硅靶材及其组合的制造方法，其中钼硅靶材的制造方法包括：提供钼粉和硅粉；使用混合工艺将所述钼粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；使用冷压工艺将所述混合粉末制成钼硅靶材坯料；使用真空热压烧结工艺将所述钼硅靶材坯料制成钼硅靶材。1、本发明的钼硅靶材制造工艺是一次大胆尝试，制备工艺步骤少，生产速度快。使用本方案的制造方法能够获得致密度大于等于99％的钼硅靶材，并且获得的钼硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。2、本发明的制造方法可以避免使用高温和高压工艺条件的热等静压工艺，节省了生产时间、能源和成本。

主权项

一种钼硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钼粉和硅粉；使用混合工艺将所述钼粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；使用冷压工艺将所述混合粉末制成钼硅靶材坯料；使用真空热压烧结工艺将所述钼硅靶材坯料制成钼硅靶材，所述真空热压烧结工艺包括：第一次升温过程、第一次升温过程后进行的第二次升温过程、以及第二次升温过程后的保温过程，第一次升温过程用于使钼原子和硅原子相互扩散，钼和硅之间发生化学反应而通过化学键紧密结合，在第二次升温过程中进行加压以使钼原子发生表面扩散，第二次升温过程后的保温过程中的最高温度使钼硅靶材坯料呈固液共存状态；第一次升温至温度范围为1100℃～1200℃，升温速率为5℃/min～15℃/min，在所述第一次升温过程中，当压力达到10t～15t时卸压到5t～8t，在所述第一次升温后保温2h～4h；第二次升温至温度范围为1250℃～1380℃，在所述第二次升温时还加压至20MPa～30MPa，第二次升温速率为2℃/min～8℃/min，所述加压速率为2t/min～3t/min，在第二次升温加压后保温保压1h～3h。