[发明专利]一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410464412.0 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105418926B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | C08G77/24 | 分类号： | C08G77/24;C09D183/08 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 王法男 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含氟萘乙基硅树脂及其制备方法和应用。本发明以含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷为起始原料，通过缩合反应制得溶胶；将所得溶胶溶液旋涂于硅片上，然后加热使其固化成膜，获得含氟萘乙基硅树脂；还可通过对膜进行退火处理，以进一步改善含氟萘乙基硅树脂的电学特性。可通过改变含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷的比例来改变含氟萘乙基硅树脂的综合性能，使其符合人们对低介电常数材料的不同需求。本发明中含氟萘乙基硅树脂的介电常数可以达到2.0～2.5，因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该含氟萘乙基硅树脂的制备方法简单，有利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 含氟 乙基硅树脂 烃基 低介电常数材料 制备方法和应用 有机硅单体 二氯硅烷 三氯硅烷 乙基 极大规模集成电路 电学特性 固化成膜 介电常数 起始原料 溶胶溶液 缩合反应 退火处理 综合性能 硅片 可用 旋涂 制备 加热 | ||
【主权项】：
1.一种含氟萘乙基硅树脂，其特征在于：该含氟萘乙基硅树脂是以含氟萘乙基有机硅单体、烃基三氯硅烷、烃基二氯硅烷为起始原料，通过缩合反应得到溶胶，将溶胶进一步加热固化制备获得的薄膜材料；所述含氟萘乙基有机硅单体的结构如式(Ⅰ)所示，![]()
其中，Rf为‑(CH2)m(CF2)nF或‑(CH2)m(CF2)nH，其中m为1～2的整数，n为1～10的整数；R1为甲基或苯基；R2为‑H或Rf；R3为‑H或Rf。
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