[发明专利]核素轰击的靶、轰击系统和方法有效
| 申请号： | 201410457908.5 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105407622B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云 | 申请（专利权）人： | 邱慈云 |
| 主分类号： | H05H6/00 | 分类号： | H05H6/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及核素轰击系统及方法以及用于核素轰击的靶及其形成方法。在一个实施例中，靶可以包括具有吸氢属性的金属元素的单晶薄层，以及处于所述金属元素的单晶薄层中作为填隙核素的氢的第一同位素。所述氢的第一同位素形成包括基本沿着所述金属元素单晶中的晶格通道排列的核素的点阵。在某些实现方式中，靶的厚度可以为5μm或更小。在另外的实施例中，可以将氢的第二同位素基本沿所述金属元素的单晶中的晶格通道射向所述靶。氢的第二同位素可以具有例如大于等于约10keV的能量。 | ||
| 搜索关键词： | 核素 轰击 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于核素轰击的靶，其特征在于，包括：具有吸氢属性的金属元素的单晶薄层，以及氢的同位素，其处于所述金属元素的单晶薄层中作为填隙核素，其中，所述氢的同位素形成包括基本沿着所述金属元素单晶中的晶格通道排列的核素的点阵。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邱慈云，未经邱慈云许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410457908.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电路板散热孔的加工方法
- 下一篇：一种紧凑型D-D中子发生器
