[发明专利]处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201410453003.0 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104269355A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种处理氧化硅的方法，薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管。处理氧化硅的方法包括如下步骤：在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面的极性的氢键。薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：沉积氧化硅材料的刻蚀阻挡层，氧化硅表面形成极性的氢键；在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面极性的氢键；在刻蚀阻挡层之上形成树脂层。上述制造方法制造出的薄膜晶体管。本发明使得氧化硅的表面能增加，表现出疏水性，为树脂层可以与刻蚀阻挡层牢固地粘在一起提供了条件。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 氧化 方法 薄膜晶体管 制造 | ||
【主权项】：
一种处理氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：在甲烷气体环境下，对氧化硅表面进行等离子体处理使得非极性的甲基基团取代氧化硅表面的极性的氢键。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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