[发明专利]一种生产及分离苯基三氯硅烷的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201410452302.2 申请日: 2014-09-05
公开(公告)号: CN104311590B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 黄国强;黄友光 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C07F7/12 分类号: C07F7/12;C07F7/20
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种生产及分离苯基三氯硅烷的方法和装置;将氯苯和三氯氢硅同时进行气化;气化后的三氯氢硅与氯苯进行反应,以氯化铝或者镍催化剂,反应温度为200‑400℃,反应压力控制在0.1‑0.7MPa;反应后得到的产物进入苯基三氯硅烷脱轻塔,脱去氯化氢、苯、四氯化硅、二氯氢硅的轻组分杂质;除去轻组分杂质后的粗产品再进入苯基三氯硅烷脱轻塔,实现氯苯与苯基三氯硅烷分离,重组分为苯基三氯硅烷产品。单程转化率达到80%,提纯后的苯基三氯硅烷纯度达到99.8%。
搜索关键词: 一种 生产 分离 苯基 硅烷 方法 装置
【主权项】:
一种生产及分离苯基三氯硅烷的方法,其特征是步骤如下:1).将氯苯和三氯氢硅同时进行气化,氯苯与三氯氢硅的物质量之比为1.5~4.0:1,气化温度为150‑250℃;2).气化后的三氯氢硅与氯苯进行反应,以氯化铝或者镍催化剂,催化剂含量是三氯氢硅摩尔含量的0.1%‑15%,反应温度为200‑400℃,反应压力控制在0.1‑0.7MPa;3).反应后得到的产物进入苯基三氯硅烷脱轻塔,脱去氯化氢、苯、四氯化硅、二氯氢硅的轻组分杂质,脱轻塔操作压力为常压,塔顶温度在30‑80℃;4).除去轻组分杂质后的粗产品再进入苯基三氯硅烷脱轻塔,实现氯苯与苯基三氯硅烷分离,重组分为苯基三氯硅烷产品,脱轻塔为常压操作,塔顶温度控制在100‑150℃。
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