[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

本申请公开一种半导体器件及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括晶体管，形成在半导体衬底上；第一绝缘薄膜，形成在该半导体衬底上方；以及第一和第二电容器，位于该第一绝缘薄膜上。该第一电容器包括下部电极、铁电体和上部电极。该下部电极和该上部电极之一连接至该晶体管的杂质区。该第二电容器包括第一电极、第一电介质、第二电极、第二电介质和第三电极。该下部电极由与该第一电极同样的材料形成，该铁电体由与该第一电介质同样的材料形成，并且该上部电极由与该第二电极同样的材料形成。利用本发明，可获得具有大电容和高耐受电压的电容器单元，且设计自由度高。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；晶体管，包括形成在该半导体衬底中的杂质区、位于该半导体衬底上的栅绝缘薄膜、以及位于该栅绝缘薄膜上的栅电极；第一绝缘薄膜，形成在该半导体衬底上方；第一电容器，位于该第一绝缘薄膜上，其中该第一电容器包括下部电极、铁电体、以及上部电极，并且该下部电极和该上部电极之一连接至该杂质区；以及第二电容器，位于该第一绝缘薄膜上，其中该第二电容器包括第一电极、第一电介质、第二电极、第二电介质、以及第三电极；其中该下部电极和该第一电极由同样的材料形成，该铁电体和该第一电介质由同样的材料形成，并且该上部电极和该第二电极由同样的材料形成，以及其中,所述第二电容器包括：平滑电容器，其由所述第二电极、第二电介质和第三电极形成；以及虚设电容器，其由所述第一电极、第一电介质和第二电极形成。