[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

主权项

一种背照式(BSI)半导体图像感测器件，包括：半导体衬底，包括图像感测像素区和邻近的外围区，其中，所述外围区接近所述背照式半导体图像感测器件的侧壁；第一抗反射涂层(ARC)，位于所述半导体衬底的背侧上；介电层，位于所述第一抗反射涂层上；辐射屏蔽层，位于所述外围区中的介电层上；以及光子阻挡层，位于所述背照式半导体图像感测器件的侧壁上，并且覆盖所述辐射屏蔽层的侧壁的一部分，所述光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至所述半导体衬底内，所述光子阻挡层的一端包括弧。