[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410424550.6 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104425615A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 太田千春;清水达雄;西尾让司;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第一电极。第一半导体区域具有第一导电类型。第二半导体区域设置在第一半导体区域上，并且具有第二导电类型。第三半导体区域设置在第二半导体区域上，并且具有第二导电类型。第三半导体区域包含第一导电类型的第一杂质以及第二导电类型的第二杂质，并且满足1＜D2/D1＜3，其中D1是第一杂质的第一浓度，而D2是第二杂质的第二浓度。第一电极设置在第一、第二和第三半导体区域上。第一电极与第二和第三半导体区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体区域；设置在所述第一半导体区域上的第二导电类型的第二半导体区域；设置在所述第二半导体区域上的所述第二导电类型的第三半导体区域，包含所述第一导电类型的第一杂质以及所述第二导电类型的第二杂质，并且满足1＜D2/D1＜3，其中D1是所述第三半导体区域中所述第一杂质的第一浓度，并且D2是所述第三半导体区域中所述第二杂质的第二浓度；以及设置在所述第一半导体区域、所述第二半导体区域和所述第三半导体区域上的第一电极，所述第一电极与所述第二半导体区域和所述第三半导体区域接触。
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