[发明专利]深槽刻蚀设备的静电释放方法在审
| 申请号： | 201410424459.4 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104157547A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴小勇;李进标 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深槽刻蚀设备的静电释放方法，深槽刻蚀设备具有晶圆手指、静电吸附极板、手指安装环、晶圆支撑环和静电吸附极板支撑体；晶圆手指安装于晶圆支撑环上，晶圆手指在静电吸附极板支撑体由升起位置下降到降落位置时逐渐接触晶圆，静电吸附极板支撑体始终与深槽刻蚀设备的外壳相连接，外壳接地；其中，静电释放方法包括：无论静电吸附极板支撑体处于升起位置还是降落位置，将晶圆支撑环与静电吸附极板支撑体之间始终保持电连接。本发明能够消除刻蚀工艺后在静电吸附极板和晶圆上产生的大量静电，避免因静电释放不干净而发生的粘片现象。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 静电 释放 方法 | ||
【主权项】：
一种深槽刻蚀设备的静电释放方法，所述深槽刻蚀设备具有晶圆手指、静电吸附极板、手指安装环、晶圆支撑环和静电吸附极板支撑体；所述晶圆手指安装于所述晶圆支撑环上，所述晶圆手指在所述静电吸附极板支撑体由升起位置下降到降落位置时逐渐接触晶圆，所述静电吸附极板支撑体始终与所述深槽刻蚀设备的外壳相连接，所述外壳接地；其中，所述静电释放方法包括：无论所述静电吸附极板支撑体处于所述升起位置还是所述降落位置，将所述晶圆支撑环与所述静电吸附极板支撑体之间始终保持电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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