[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该方法包括如下步骤1、在基板(1)上形成栅极(3)及第一重度掺杂透明导电薄膜层(2)；2、沉积栅极绝缘层(4)；3、形成岛状氧化物半导体层(5)；4、形成岛状蚀刻阻挡层(6)；5、形成源/漏极(8)、第二、第三重度掺杂透明导电薄膜层(7、9)，所述源/漏极(8)借由第二重度掺杂透明导电薄膜层(7)与氧化物半导体层(5)的两侧部(53)接触，形成电性连接；6、沉积并图案化保护层(10)；7、沉积并图案化像素电极层(11)，其借由所述第三重度掺杂透明导电薄膜层(9)与源/漏极(8)接触，形成电性连接；8、退火处理。

主权项

一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上依次沉积并图案化第一重度掺杂透明导电薄膜层与第一金属层，形成栅极(3)、及位于该栅极(3)下表面并与该栅极(3)同样形状的第一重度掺杂透明导电薄膜层(2)；步骤2、在所述栅极(3)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(4)；步骤3、在所述栅极绝缘层(4)上沉积并图案化氧化物半导体层，形成位于所述栅极(3)正上方的岛状氧化物半导体层(5)；步骤4、在所述岛状氧化物半导体层(5)与栅极绝缘层(4)上沉积并图案化蚀刻阻挡层，形成位于所述岛状氧化物半导体层(5)上的岛状蚀刻阻挡层(6)；所述岛状蚀刻阻挡层(6)的宽度小于所述岛状氧化物半导体层(5)的宽度；所述岛状蚀刻阻挡层(6)覆盖岛状氧化物半导体层(5)的中间部(51)而暴露出岛状氧化物半导体层(5)的两侧部(53)；步骤5、在所述岛状蚀刻阻挡层(6)与栅极绝缘层(4)上依次沉积并图案化第二重度掺杂透明导电薄膜层、第二金属层、与第三重度掺杂透明导电薄膜层，形成源/漏极(8)、位于该源/漏极(8)下表面并与该源/漏极(8)同样形状的第二重度掺杂透明导电薄膜层(7)、及位于该源/漏极(8)上表面并与该源/漏极(8)同样形状的第三重度掺杂透明导电薄膜层(9)；所述源/漏极(8)借由第二重度掺杂透明导电薄膜层(7)与所述氧化物半导体层(5)的两侧部(53)接触，形成电性连接；步骤6、在所述第三重度掺杂透明导电薄膜层(9)与蚀刻阻挡层(6)上沉积并图案化保护层(10)，形成位于所述岛状氧化物半导体层(5)一侧的通孔(101)；步骤7、在所述保护层(10)上沉积并图案化像素电极层(11)；所述像素电极层(11)填充所述通孔(101)，并借由所述第三重度掺杂透明导电薄膜层(9)与源/漏极(8)接触，形成电性连接；步骤8、对步骤7得到的基板(1)进行退火处理。