[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201410413061.0 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105321846B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 申平洙 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 杨生平,钟锦舜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系关于基板处理装置及基板处理方法。本发明之一个实施例的基板处理方法包括提供在多晶硅之上部交替层迭有层间绝缘层与牺牲层、在该等层间绝缘层与该等牺牲层中形成有孔的基板的步骤；向该基板供应激发为电浆状态的第一制程气体以在该孔之侧面及底部以及该基板之顶部形成保护层的步骤；向该基板供应激发为电浆状态的第二制程气体以移除该孔之侧面形成的该保护层的步骤；向该基板供应激发为电浆状态的第三制程气体以移除暴露于该孔之侧面的该牺牲层的步骤；以及，向该基板供应激发为电浆状态的第四制程气体以自该基板之顶部及该孔之底部移除该保护层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，包括以下步骤：提供在一多晶硅之上部交替层迭有层间绝缘层与牺牲层、在该等层间绝缘层与该等牺牲层中形成有一孔的一基板的步骤；向该基板供应激发为电浆状态的一第一制程气体以在该孔之侧面及底部以及该基板之顶部形成一保护层的步骤；向该基板供应激发为电浆状态的一第二制程气体以移除在该孔之侧面形成的该保护层的步骤；向该基板供应激发为电浆状态的一第三制程气体以移除暴露于该孔之侧面的该牺牲层的步骤；以及向该基板供应激发为电浆状态的一第四制程气体以自该基板之顶部及该孔之底部移除该保护层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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