[发明专利]梯度式干法去胶方法有效
| 申请号： | 201410412283.0 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104157566B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 荆泉;高腾飞;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其包括对晶圆表面进行预加热过程；对光刻胶表面的硬壳进行软化过程；去除光刻胶表面的硬壳，在晶圆表面有残余光刻胶；去除残余光刻胶。采用本发明的方法，不仅可以有效去除光刻胶，还可以避免光刻胶爆裂、残留、多晶硅损伤等工艺缺陷，进一步提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 梯度 式干法去胶 方法 | ||
【主权项】：
一种梯度式干法去胶方法，采用一具有光刻胶的晶圆，所述光刻胶表面具有经高能粒子注入后形成的硬壳；其特征在于，所述梯度式干法去胶方法包括以下步骤：步骤01：对所述晶圆表面进行预加热过程；所述预加热过程采用的反应功率为400‑600W；步骤02：对所述光刻胶表面的硬壳进行软化过程；所述软化过程采用的反应功率为600‑1200W；步骤03：采用反应功率为1200‑2500W来去除所述光刻胶表面的硬壳，在所述晶圆表面有残余光刻胶；步骤04：采用反应功率为2000‑3000W来去除所述残余光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
