[发明专利]一种锗材料表面稳定钝化的方法无效
| 申请号： | 201410406487.3 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN104157554A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 许宝建;蔡奇;金庆辉;赵建龙;叶林;狄增峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于利用Ge与含长碳链硫醇，在特定条件下反应，通过调整反应体系的成份和温度，实现Ge表面氧化层的有效去除，实现Ge表面的稳定钝化保护，所述的长碳链硫醇为CH3(CH2)nSH，n≥9。具体为n＝11的十二硫醇，n＝15的十六硫醇或n＝17的十八硫醇。本发明制备的钝化Ge在大气环境下能长时间(>15天，至少15天)维持稳定，远远大于已报到的48h，其在水相(高湿度)条件下的稳定时间也超过10天，远大于已报到的数小时；本发明提供的Ge表面清洗与钝化的方法，具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 表面 稳定 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于利用Ge与含长碳链硫醇，在特定条件下反应，通过调整反应体系的成份和温度，实现Ge表面氧化层与金属离子的有效去除，获得表面氯化的Ge片，然后浸泡到长碳链硫醇溶液中进行钝化处理，Ge表面自组装上长碳链硫醇分子，实现Ge表面的稳定钝化保护，所述的长碳链硫醇为CH3(CH2)nSH，n≥9。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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