[发明专利]工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法有效
| 申请号： | 201410406169.7 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105304465B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;张铭庆;黄渊圣;陈瑞铭;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了工艺室以及制备和操作工艺室的方法。在一些实施例中，制备用于处理衬底的工艺室的方法包括：在工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，元件包括排气材料；以及在工艺室内，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层。本发明还涉及工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺室 操作工艺 阻挡层 制备工艺 制备 排气材料 衬底 腔内 室内 | ||
【主权项】：
一种制备用于处理衬底的工艺室的方法，所述方法包括：在所述工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，所述元件包括排气材料；以及在所述工艺室内，在所述第一阻挡层上方形成第二阻挡层；其中，所述第一阻挡层包括硅，所述第二阻挡层包括硼，并且通过与所述第一阻挡层中的硅反应形成所述第二阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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