[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的制备方法在审
申请号: | 201410391367.0 | 申请日: | 2014-08-11 |
公开(公告)号: | CN104201236A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 檀满林;刘荣跃;张维丽;李冬霜;符冬菊;马清;叶利强;王晓伟;陈建军 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 孔丽霞 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,该方法采用连续离子层吸附反应法先在基底表面沉积铜离子和锡离子的薄膜化合物,再沉积锌离子的薄膜化合物,最后高温硫化处理即可得到锌锡硫薄膜。该方法可以解决铜离子、锡离子和锌离子共吸附过程中由于离子竞争而导致薄膜成分的不均匀,有效控制铜锌锡硫薄膜中各成分的比例,制备单相铜锌锡硫薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,该方法包括以下步骤:S10,将一基底在一第一阳离子溶液中浸渍后取出,使该基底的表面吸附一铜离子和锡离子的混合离子层;S11,清洗该铜离子和锡离子的混合离子层;S12,将形成有铜离子和锡离子的混合离子层的基底在一第一阴离子溶液中浸渍后取出,使该铜离子和锡离子的混合离子层的表面吸附多个第一硫离子,且该多个第一硫离子与该铜离子和锡离子的混合离子层发生反应形成一硫化铜和硫化锡混合化合物薄膜;S13,清洗该硫化铜和硫化锡混合化合物薄膜;S14,将形成有硫化铜和硫化锡混合化合物薄膜的基底在一第二阳离子溶液中浸渍后取出,使该硫化铜和硫化锡混合化合物薄膜的表面吸附一锌离子层;S15,清洗该锌离子层;S16,将形成有锌离子层的基底在一第二阴离子溶液中浸渍后取出,使该第二阳离子层的表面吸附多个第二硫离子,且该多个第二硫离子与该锌离子层发生反应形成一硫化锌化合物薄膜;S17,清洗该硫化锌化合物薄膜从而得到一吸附有铜锌锡硫薄膜前驱体的基底;以及S18,对该吸附有铜锌锡硫薄膜前驱体的基底进行硫化处理。
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