[发明专利]像素密度可调的图像传感器及其像素密度调整方法有效
申请号: | 201410382828.8 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN104157660B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 杜琳 | 申请(专利权)人: | 北京智谷睿拓技术服务有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人: | 马敬,项京 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例公开了一种像素密度可调的图像传感器及其像素密度调整方法,其中一种像素密度可调的图像传感器包括阵列分布的多个图像传感器像素;一可控变形材料部,分别与多个所述图像传感器像素连接;所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布。本申请实施例提供的技术方案,可实现图像传感器的像素密度可调,基于像素密度可调的图像传感器进行图像采集,可充分利用图像传感器的整体像素来差异化呈现采集图像不同区域的清晰度,由此更好满足用户多样化的应用需求。 | ||
搜索关键词: | 像素 密度 可调 图像传感器 及其 调整 方法 | ||
【主权项】:
一种像素密度可调的图像传感器,其特征在于,包括:阵列分布的多个图像传感器像素;一可控变形材料部,分别与多个所述图像传感器像素连接;所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布;其中,所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成:压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料;还包括:形变控制部,用于调节作用到所述可控变形材料部的所述外场的分布,以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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