[发明专利]谐振换能器及其制作方法、谐振换能器的多层结构有效

专利信息
申请号: 201410381854.9 申请日: 2014-08-05
公开(公告)号: CN104344921B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 吉田隆司;三岛猛;岩井滋人;吉田勇作 申请(专利权)人: 横河电机株式会社
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 陈源,李铭
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种谐振换能器及其制作方法以及谐振换能器的多层结构,所述谐振换能器包括单晶硅衬底;被布置在单晶硅衬底上方的单晶硅谐振器;围绕谐振器并与谐振器具有一定间隙的由硅制成的壳体,该壳体与单晶硅衬底一起形成腔室;被配置为激发该谐振器的激发模块;被配置为检测传感器振动的振动检测模块;被布置在腔室上方的第一层,该第一层具有位于谐振器上方的通孔;被布置在第一层上方的第二层,该第二层覆盖了位于通孔上方并且与通孔连通的间隙;和覆盖了第一层和第二层的第三层,并且该第三层密封了间隙。
搜索关键词: 谐振 换能器 及其 制作方法 多层 结构
【主权项】:
一种谐振换能器,包括:单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其被布置在所述单晶硅衬底上方;由硅制成的壳体,其围绕所述谐振器并与所述谐振器之间具有间隙,并且所述壳体和所述单晶硅衬底一起形成腔室;激发模块,其被配置为激发所述谐振器;和振动检测模块,其被配置为检测所述谐振器的振动;其中所述壳体包括:第一层,其布置在所述腔室上方,所述第一层具有在所述谐振器上方的通孔;第二层,其布置在所述第一层上方,所述第二层覆盖位于所述通孔上方的间隙,所述间隙从位于所述通孔上侧的第一位置连通至位于所述第一层以及所述第二层的外围部分之间的第二位置;以及第三层,其覆盖所述第一层和所述第二层,并且所述第三层在所述第二位置处密封所述间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横河电机株式会社,未经横河电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410381854.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top