[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410371208.4 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104425576B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 水谷齐治;井上真雄;梅田浩司;门岛胜 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的、存储元件用的栅极绝缘膜；和形成在所述栅极绝缘膜上的、所述存储元件用的栅极，所述栅极绝缘膜具有第一绝缘膜、所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜和所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，所述第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧，所述第二绝缘膜中的铪和硅的原子比为x：y时，0.77≦x/(x+y)≦0.91成立，所述第一绝缘膜及所述第三绝缘膜的各自的带隙比所述第二绝缘膜的带隙大。
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