[发明专利]一种蓝宝石晶片清洗工艺有效
| 申请号： | 201410366227.8 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104259132A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 周群飞;饶桥兵;汤功如 | 申请（专利权）人： | 蓝思科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410329 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝宝石晶片清洗工艺，用于对蓝宝石晶片在镀膜、丝印前进行清洗，本发明在超声波清洗机中对蓝宝石晶片进行清洗，包括如下步骤：第一步、去油污；第二步、喷淋；第三步、去脏污；第四步、喷淋；第五步、除残留；第六步、喷淋；第七步、超声波清洗；第八步、慢拉脱水；第九步、烘干，烘干后进行去静电处理。本发明减少强酸性、强腐蚀性洗剂的使用，通过分开多次清洗，保证了蓝宝石晶片表面的清洗效果，将对设备和操作人员的危害大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 晶片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石晶片清洗工艺，在超声波清洗机中对蓝宝石晶片进行清洗，其特征是包括如下步骤：第一步、去油污，用加热至80±5℃的氢氧化钠溶液进行超声波清洗；第二步、喷淋，用常温去离子水进行喷淋；第三步、去脏污，用加热至80±5℃的水基环保清洗剂进行超声波清洗；第四步、喷淋，用常温去离子水进行喷淋；第五步、除残留，用加热至65±5℃、质量分数为5‑10％的水基环保清洗剂进行超声波清洗；第六步、喷淋，用65±5℃的去离子水喷淋；第七步、超声波清洗，用65±5℃的去离子水进行超声波清洗；第八步、慢拉脱水，用75±5℃的去离子水对蓝宝石晶片进行浸泡加热，然后从去离子水中拉出进行脱水；第九步、烘干，使用温度在110±10℃、尘埃粒子含量达到Class1000无尘室标准的空气对晶片表面进行烘干。
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