[发明专利]钝化层的制造方法在审
| 申请号： | 201410365998.5 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104911553A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 董寰乾;黄宏胜;余建辉;张鼎张 | 申请（专利权）人： | 中国钢铁股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;C23C14/08;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钝化层的制造方法，其包含下列步骤：提供薄膜晶体管器件，薄膜晶体管器件包含铟镓锌氧化物层；利用硅铝靶材进行溅射制造工艺，以形成钝化层覆盖在铟镓锌氧化物层上。硅铝靶材由铝与硅所组成，且溅射制造工艺的工艺气体包含氧气与氩气。本发明利用硅铝靶材进行反应性溅射，在薄膜晶体管器件的铟镓锌氧化物层上形成钝化层，可有效阻隔氧气与水汽，且生产效率高、生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钝化层的制造方法，其特征在于，该方法包含：提供一薄膜晶体管器件，其中该薄膜晶体管器件包含一铟镓锌氧化物层；以及利用一硅铝靶材进行一溅射制造工艺，以形成一钝化层覆盖在该铟镓锌氧化物层上，其中该硅铝靶材由铝与硅所组成，且该溅射制造工艺的一工艺气体包含一氧气与一氩气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国钢铁股份有限公司，未经中国钢铁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410365998.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
