[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410363408.5 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336673A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构及其形成方法，互连结构的形成方法包括：提供衬底；形成含碳的扩散阻挡层、含碳的粘附层；形成导电插塞；粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量；本发明还提供一种互连结构，包括衬底、扩散阻挡层、粘附层、层间介质层，层间介质层中具有导电插塞；粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。本发明的有益效果在于，使形成的层间介质层与扩散阻挡层之间的粘附性增加，层间介质层不容易产生裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成含碳的扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成含碳的粘附层；在所述粘附层上形成不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层；在层间介质层中形成导电插塞；其中，所述粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，所述粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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